MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB

Vishay Siliconix

包装:管件,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):200V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:5.2A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:800 毫欧 @ 3.1A，5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):360pF @ 25V,功率 - 最大值:50W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-220-3,供应商器件封装:TO-220AB

• 深圳市泰荣昌科技有限公司
• 广州市昊友电子科技有限公司
• 深圳市鹏星微电子有限公司
• 深圳市烨鑫微电子有限公司
• 深圳市拍明芯城电子有限公司
• 北京华威远航电子科技有限责任公司
• 深圳市辰华鼎盛电子科技有限公司
• 深圳市古东科技有限公司
• 深圳市益辉科技有限公司
• 深圳市福田区诺启元电子商行
• 深圳市金芯阳科技有限公司
• 深圳市秦瑞达科技有限公司
• 英特宝电子
• 深圳市正伟亿科技有限公司
• 深圳市硅宇电子有限公司
• 深圳市三和达电子有限公司
• 深圳秦瑞达科技有限公司